机译:研究堆叠栅极GEWE-SiNW MOSFET的模拟/ RF温度变化和线性性能,以提高器件可靠性
Delhi Technol Univ, Dept Engn Phys, Microelect Res Lab, Delhi 110042, India;
Delhi Technol Univ, Dept Engn Phys, Microelect Res Lab, Delhi 110042, India;
Stacked gate; Silicon nanowire (SiNW); Analog; RF; Linearity; GEWE; Ambient temperature; MOSFET;
机译:优化高k和栅极金属功函数以改善栅极堆叠(GS)-GEWE-SiNW MOSFET的模拟和互调性能
机译:调查温度变化对电介质口袋高k双门 - 全栅(DP-DGAA)MOSFET的模拟/ RF性能的影响
机译:间隔器上具有高k堆栈的纳米级栅下单层和双栅绝缘体上硅MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:势垒厚度的变化对栅极工程TM-DG异质结构MOSFET抑制SCE及其对SOC应用的模拟,RF,线性性能的影响
机译:复合MOSFET,用于数字性能和高线性,及其制造技术
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:双金属双栅极高k堆叠(DMDG-HKS)MOSFET的模拟和RF性能评估
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。