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机译:关于使用3D TCAD进行全过程和器件仿真的多栅极FET(MuGFET)的器件设计评估
Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, D-81726 Munich, Germany;
TCAD; multigate MOSFETs; MuGFETs; FinFETs; process and device simulation;
机译:使用3D TCAD针对FinFET器件验证30 nm工艺仿真
机译:带有硅基合金应力源和应力CESL的应变Si CMOS器件的3D TCAD模拟
机译:基于TCAD仿真的OFET器件的表征与分析。
机译:全面的3D工艺/器件仿真,重复使用2D TCAD知识来优化N和P型FinFET晶体管
机译:新型半导体器件和集成电路(砷化镓MESFET,IC模拟,MODFET,薄膜晶体管,非晶硅)的分析和设计。
机译:用TCAD工具对生物传感设备的ISFET结构进行数值模拟
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机译:电子设备设计的未来:设备和过程模拟在万维网上查找智能