机译:具有堆叠的锗硫属化物/锡硫属化物层的相变存储器件
Department of Electrical and Computer Engineering, 1910 University Dr., Boise State University, Boise, ID 83725-2075 USA;
phase-change memory; PCRAM; non-volatile; GeTe; Ge_2Se_3; SnTe; SnSe; GST; Ge_2Sb_2Te_5;
机译:使用成分修饰的Ge-Sb-Te膜的多层结构的相变非易失性存储设备中增强的存储行为
机译:化学计量在界面相变存储器(IPCM)设备中使用的van der WAASS层叠的van der Waals的结构的影响
机译:具有硅锗加热层的低功耗和高速相变存储器件
机译:Ge-硫族化物/ SnTe相变存储膜的相变研究
机译:用于分子存储设备的氧化还原活性单分子膜的表征。第一部分:金上的自组装分子单分子层。第二部分:半导体上共价连接的分子单分子层。
机译:TiOx活性层的多层堆叠顺序对忆阻器电阻开关特性的影响
机译:三元和层状硫族化物相变存储器件的电开关特性
机译:硅器件中的载流子传输研究:用于存储器件应用的多层绝缘体的电学和光学研究。