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机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
Shiraz Univ Technol, Elect & Elect Dept, Shiraz, Iran;
Shiraz Univ Technol, Elect & Elect Dept, Shiraz, Iran;
Gate Diffusion Input (GDI) Technique; Carbon Nano Tube (CNT) Field Effect; Transistor (CNTFET); Multiple-Valued Logic (MVL); Ternary logic; Process and temperature variations; Static Noise Margin (SNM); Power-Delay Product (PDP);
机译:基于32 nm CNTFET技术的改进的栅极扩散输入(m-GDI),设计了低功耗,高读取稳定性的8T-SRAM存储器
机译:低功耗降低SRAM存储器读写稳定性的设计和仿真
机译:一种用于低功耗嵌入式存储器的读解耦式栅极接地SRAM架构
机译:基于32nm CNTFET技术的改进型栅极扩散输入(m-GDI)技术的低功耗高速逻辑电路的设计和评估
机译:使用碳纳米管场效应晶体管的高性能,高稳定性和低功耗SRAM设计。
机译:用于低功耗嵌入式存储器的读解耦门控接地SRAM架构