机译:紫外光波长和紫外光固化时间对PECVD沉积的多孔超低k膜的化学和机械性能的影响
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium,Program of Nanoscience and Nanotechnology, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Ultra low-k; PECVD; FTIR; Nanoindentation; Porogen; UV cure;
机译:基于成孔剂的PECVD沉积的极低k材料的表征和优化与紫外固化时间的关系
机译:UV固化对45 nm及以下节点的PECVD无孔多孔SiOC:H膜(在k [2.2-2.4]范围内)的机械和电气性能的影响
机译:紫外线对UV辅助PECVD沉积低κSiOC(-H)介电薄膜的缺陷状态和电荷输运性质的影响
机译:紫外线波长和固化时间对旋涂低k膜性能的影响
机译:紫外光固化对超低k材料的分子结构和断裂性能的影响
机译:紫外线-A(UV-A)和紫外线-C(UV-C)光对牡蛎蘑菇生长期间力学性能的影响
机译:紫外波长和固化时间对旋涂低k薄膜性能的影响
机译:紫外光对化学气相沉积的a-siN(sub x):H薄膜中的红外吸收的影响