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机译:Si和SiC MOSFET短路时的热应力比较分析
9 Iroon Polytechniou St., 15780 Zografos, Greece;
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MOSFET; Reliability; Robustness; Ruggedness; Short circuit; Silicon Carbide (SiC); Thermal stress;
机译:通过三维电热机械应力分析研究双沟SIC MOSFET短路故障的研究
机译:反复短路应力下SiC功率MOSFET的电参数劣化的综合分析
机译:基于Repetive短路应力下SiC功率MOSFET的低频噪声的陷阱分析
机译:SiC MOSFET短路测试下的引线应力分析
机译:6H-αSiC的热氧化电钝化及其表征和在SiC MOSFET中的应用。
机译:SiC MOSFET的400 V微型直流固态断路器的设计
机译:基于Repetive短路应力下SiC功率MOSFET的低频噪声的陷阱分析