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机译:沉积速率对掺Sn的In_2O_3纳米结构薄膜光学,微结构和乙醇感测特性的影响
Department of Physics, Faculty of Sciences, ShahrekordUniversity;
Department of Physics, Faculty of Sciences, ShahrekordUniversity,Nanotechnology Research Center, Shahrekord University;
Department of Physics, Faculty of Sciences, ShahrekordUniversity,Nanotechnology Research Center, Shahrekord University;
Semiconductor gas sensor; Nanostructured In2O3Sn films; Microstructural properties; Sensitivity; Deposition rate;
机译:喷雾热解沉积Sn掺杂的In_2O_3纳米晶薄膜的微观结构,光学,电学和甲醛传感特性
机译:室温下通过脉冲激光沉积Sn掺杂在聚合物基底上的In_2O_3薄膜中的作用
机译:使用合金靶材通过反应磁控溅射高速沉积高质量的Sn掺杂In_2O_3薄膜
机译:脉冲激光沉积法制备有机发光二极管的高质量Sn掺杂In_2O_3薄膜
机译:纳米晶的未掺杂和掺杂的氧化铈薄膜的微结构及其电学和光学性质。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:氧分压对脉冲激光沉积纳米结构Gd掺杂氧化铈薄膜微观结构,光学和气敏特性的影响
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。