机译:Se_(90)Sb_8Ag_2非晶薄膜的热激电流测量和俘获参数估计
Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur 208002, India;
Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur 208002, India;
Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur 208002, India;
Thin Films; Thermally Stimulated Currents (TSC); Trap Depth; Trap Density; Recombination Kinetics;
机译:使用热激电流测量确定Se70Te30-xZnx薄膜中的陷阱深度和陷阱密度
机译:N注入的Tl_2Ga_2S_3Se单晶的热激发电流俘获中心参数
机译:热激电流测量确定Tl_2Ga_2S_3Se层状晶体的俘获中心参数
机译:NC-CDSE中陷阱深度的测定:使用热刺激电流测量的Cu薄膜
机译:介电分析和热激电流分析在聚合物涂层溶液,薄膜和涂层基材上的应用。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:通过热刺激电流测量LB膜中的偏振。
机译:CdZnTe辐射探测器的补偿和陷阱研究热电发射光谱,热刺激电导率和电流 - 电压测量