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机译:螺旋溅射分子束源的分子束外延(MBE)生长的SiC层的表面性能
Non-Traditional Machining; Ultra-Precision Machining; Surface Roughness; Molecular Beam Epitaxy; Helicon Sputtering; Silicon Carbide; Monocrystal;
机译:分子束外延与分子束外延溅射分子束外延生长的SiC层的表面性能
机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
机译:具有新型钝化结构的分子束外延(MBE)生长的AlGaAs层的无砷高温表面清洁
机译:等离子体辅助分子束外延直接生长在6H-SiC(0001)上的GaN层的结构和光学性质
机译:InAsBi体层和量子阱中分子束外延生长的结构和光学性质
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:用Helicon溅射分子束源通过分子束外延(MBE)生长的SiC层的表面特性
机译:使用石墨生成的二聚体与标准四聚体砷基团-V源的大块mBE(分子束外延)生长的alGaas和Gaas的低温光致发光的比较