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机译:Hg_(1-x)Cd_xTe的过程建模和仿真。第二部分:Hg_(1-x)Cd_xTe中点缺陷相互作用的自扩散,互扩散和基本机理
Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305;
diffusion; HgCdTe; modeling; simulation;
机译:Hg_(1-x)Cd_xTe的过程建模和仿真。第一部分:斯坦福大学汞碲化镉工艺模拟器的现状
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