机译:具有(411)A超平界面的In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As QW-HEMT结构中电子的界面粗糙度散射的表征
Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan;
A1. interfaces; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B2. semiconducting indium compounds; B3. high electron mobility transistors;
机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面对In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP量子阱结构中的持久光电导和电子迁移率
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构系统中的电子加热测量
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:量子级联激光器的结构等离子波导管和界面粗糙度散射
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。