机译:低位错密度GaN衬底上MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的微波性能和结构表征
Electronics Science and Technology Division, Naval Research Laboratory, Code 6852, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC, 20375, USA;
A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors;
机译:HVPE GaN衬底上MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的微波功率性能
机译:独立式GaN衬底上的AlGaN / GaN HEMT:MBE生长和微波表征
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:在真正散装半绝缘GaN基板上制造微波AlGaN / GaN高电子移动晶体管(HEMTS)
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
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