机译:HVPE生长的GaN的正统蚀刻
Applied Materials Science, Radboud University Nijmegen, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands;
A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides;
机译:HVPE生长的GaN的光蚀刻:揭示周期性载气交换引起的扩展的不均匀性
机译:使用不同的湿法化学刻蚀方法表征HVPE生长的GaN中的位错刻蚀坑
机译:厚HVPE生长的GaN的蚀刻,拉曼和PL研究
机译:通过稳态和时间分辨光致发光识别HVPE生长的GaN中的点缺陷
机译:GaN纳米线制造和单光子发射器装置应用的蚀刻工艺
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:正交蚀刻HVpE生长的GaN