机译:GaN基肖特基和发光二极管的同质外延生长和电学表征
Department of Computer Science and Electrical Engineering, West Virginia University, Morgantown, WV 26506, USA;
A3. homoepitaxy; B1. Ⅲ-Nitrides; B3. light-emitting diode; B3. schottky diode;
机译:使用电反向连接的p-肖特基二极管和p-InGaN-GaN超晶格的高输出功率GaN基发光二极管
机译:基于硼掺杂同质外延金刚石薄膜的肖特基二极管的电学表征
机译:肖特基势垒二极管对磷掺杂的n型同质外延金刚石层的电学表征
机译:使用TiN缓冲层生长GaN基绿色发光二极管的结构和光学特性
机译:散装氮化镓基肖特基二极管的制造和电气/光学特征
机译:分布式布拉格反射器对GaN基倒装芯片发光二极管电学和光学性能的影响
机译:电阻金属电极整流肖特基二极管调查的肖特基二极管氢的电气表征及响应