机译:使用具有通过有机金属化学气相沉积法生长的InN阱层的In(Ga)N / GaN量子阱进行蓝绿色发射
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do 440-746, Republic of Korea;
A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:金属有机化学气相沉积法生长InN / GaN多量子阱的结构和光学特性
机译:金属有机化学气相沉积法在硅衬底上的多层缓冲层上生长的InGaN / GaN量子阱增强的蓝光发射
机译:掺入参数对金属有机化学气相沉积法生长的蓝紫色InGaN / GaN多量子阱电致发光的影响
机译:金属有机化学气相沉积在(1122)刻面GaN /蓝宝石模板上生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的结构和光学性质
机译:金属化学气相沉积种植的氮化镓外膜中的极性控制
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:金属有机化学气相沉积法制备InGaN ∕ GaN多量子阱绿色发光二极管的研究
机译:通过金属有机化学气相沉积在Gaassubstrates上生长的Inas(0.3)sb(0.7)层中载流子传输的详细分析