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机译:通过抑制2D成核作用消除(0 0 1)-(1 1 1)B台面结构的GaAs MBE中的(1 1 1)B生长
GaAs; MBE; Inter-surface diffusion; Surface diffusion coefficient; Incorporation lifetime; 2D-nucleation;
机译:通过抑制2D成核作用消除(001)-(111)B台面结构的GaAs MBE中的(111)B生长
机译:用GaAs MBE中的microprobe-RHEED研究了(111)B微面上的二维成核,以制造台面结构
机译:MBE在根切台面条纹上GaAs生长的形态学显着改善
机译:1047-1064 nm S-SEED阵列的InGaAs-GaAs MQW结构的MBE生长和基于MCP / RIE的制造
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:GaAs纳米线和纳米线异质结构的MBE生长
机译:通过选择性侧壁凹陷消除Inalas / InGaas异质结中的台面 - 侧壁漏电