机译:影响σ孔静电势强度的因素
CleveTheoComp, 1951 W. 26th Street, Suite 409, Cleveland, OH 44113, United States ,Department of Chemistry, University of New Orleans, New Orleans, LA 70148, United States;
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σ-Hole; Molecular surface electrostatic potentials; Trends in σ-hole potentials; Electronegativities; Polarizabilities; Charge capacities;
机译:说明“静电”-“势能”,“重力-势能”和“质量能”相等的“引力”和“电”力的相对强度的解释
机译:分子表面静电势可指导Si-O-N角收缩:可调节σ孔
机译:分子表面静电势可指导Si-O-N角收缩:可调σ孔
机译:静电相互作用对气体储蓄水的影响:溶液离子强度,静电双层和页岩Zeta电位的相互作用
机译:单正硼离子的四个波函数;相关的振荡器强度;粒子孔格林函数的理论发展。
机译:影响σ-和π孔区域的因素如静电势和源功能重建所揭示的因素:44-硼吡啶衍生物的情况
机译:外部静电势控制的巨层单层囊泡的可变粘附强度
机译:应力集中理论中的四项研究第一部分复杂应力系统下孔对材料强度的影响第二部分第三部分中除椭圆以外的孔和槽引起的应力集中表面不规则对疲劳强度的影响第四部分应力集中在扭曲的轴