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机译:AI_2O_3 / AIGaN / GaN HEMT的2DEG密度对界面和势垒层中氧陷阱之间电荷权重的理论研究
IFSTTAR, SATIE Lab, 25 Allee Marronniers, F-78000 Versailles, France;
IFSTTAR, SATIE Lab, 25 Allee Marronniers, F-78000 Versailles, France;
LETI CEA Tech, DCOS Dept, F-38054 Grenoble, France;
IFSTTAR, SATIE Lab, 25 Allee Marronniers, F-78000 Versailles, France;
AlGaN/GaN MOS-HEMTs; Semi-analytical modeling; Oxygen traps in barrier layer;
机译:原子层沉积AI_2O_3膜的厚度工程设计,以抑制空气中高达600 C的AIGaN / GaN HEMT中Ni / Au栅极金属的界面反应和扩散
机译:GaN MOS-HEMTS的单脉冲电荷泵测量:界面陷阱密度快速可靠地提取
机译:具有InGaN / GaN MQW背势垒结构的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构的2DEG特性的数值研究
机译:关于AiGaN / GaN晶体管中2DEG电荷密度随表面施主阱密度的变化
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响