机译:使用非化学计量的二氧化硅膜增强电可变只读存储器中的导电性并最大程度地减少电荷捕获
机译:电应力过程中在超薄二氧化硅薄膜中产生氧化物俘获电荷的机理
机译:含硅纳米晶的掺Er二氧化硅薄膜中的光发射和电荷俘获
机译:通过采用原位掺杂多晶硅通道,将垂直堆叠的无结电荷陷阱闪存设备的编程干扰降至最低
机译:高剂量Ge注入和Si注入二氧化硅薄膜的电荷陷阱
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:非易失性存储应用中的扫描探针显微镜技术对掺杂铜的氧化锌薄膜中的陷获电荷进行电学研究
机译:用于非易失性存储器的扫描探针显微镜对铜掺杂氧化锌薄膜中陷阱电荷的电学研究。
机译:硅上铝注入二氧化硅薄膜的电子俘获。