机译:GaN热蒸发生长的β-Ga_2O_3纳米线中蓝色和紫外线发射的CL研究
Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad National Autonoma de Mexico, Ensenada,Baja California 22800, Mexico;
Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad National Autonoma de Mexico, Ensenada,Baja California 22800, Mexico;
Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad National Autonoma de Mexico, Ensenada,Baja California 22800, Mexico;
Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, Madrid 28040, Spain;
机译:GaN粉末的热蒸发在蓝宝石上生长的Ga_2O_3膜
机译:GaN粉末的热蒸发在蓝宝石上生长的Ga_2O_3膜
机译:使用新方法在GaN-Ga_2O_3核壳纳米粒子上生长的Ga_2O_3纳米线:结构,形态和组成
机译:Ga_2O_3通过GaN粉末的热蒸发在蓝宝石上生长的薄膜
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:GaN热蒸发生长的ß-Ga_2O_3纳米线中蓝色和紫外线发射的CL研究
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。