机译:通过CH_4 / H_2反应离子刻蚀在InP表面亚微米节距光栅中进行选择性刻蚀时,选择性对等离子体条件的依赖性
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-Shi, Kanagawa Pref. 243-0198, Japan;
机译:在CH4 / H2反应离子刻蚀中通过InP的选择性刻蚀来制造两深度切趾光栅
机译:Cl_2 / CH_4 / H_2和CH_4 / H_2的InP室温电感耦合等离子体刻蚀的研究与优化
机译:甲烷和氢的混合物在反应离子刻蚀中InP表面的选择性刻蚀和聚合物沉积
机译:在CH_4 / H_2-RIE中选择性蚀刻和聚合物沉积在INP表面上
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:铝选择复合材料在频率选择表面上的纳秒激光蚀刻
机译:输入功率和气压对反应等离子体中SiO2 / Si表面的粗糙化和选择性刻蚀的影响
机译:CHF(3)和氧等离子体中siC的各向异性和选择性反应离子刻蚀