机译:畴结构对GaMnAs中磁致电阻异常的影响研究
Institute of Experimental Physics, University of Warsaw, Hoza 69, 00-681 Warsaw, Poland;
Institute of Experimental Physics, University of Warsaw, Hoza 69, 00-681 Warsaw, Poland;
Institute of Experimental Physics, University of Warsaw, Hoza 69, 00-681 Warsaw, Poland;
Institute of Physics, PAS, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland Max-Lab, Lund University, Lund SE-221 00, Sweden;
机译:畴结构对GaMnAs中磁致电阻异常的影响研究
机译:GaMnAs / InGaAs层中的反对称磁阻异常和磁畴结构
机译:(Ni_(74)Fe_(16)Co_(10))_ xAg_(1-x)颗粒薄膜中磁畴结构的磁力显微镜研究
机译:畴结构对钙钛矿锰矿晶界交界处磁阻的影响
机译:磁光表征观察到的铁磁GaMnAs中局部sp-d交换相互作用引起的塞曼分裂。
机译:聚(L-赖氨酸)和孔蛋白对由脂多糖和磷脂组成的混合囊泡结构域结构的影响:红外光谱研究。
机译:镍的畴壁磁电阻研究纳米结构的制备与模拟