机译:高温下半导体碳纳米管中电子有效质量和带隙的温度和载流子密度依赖性:解析计算
Vietnam Acad Sci & Technol, Ho Chi Minh City Inst Phys, Mac Dinh Chi 1, Ho Chi Minh City 710116, Vietnam;
Ton Duc Thang Univ, Theoret Phys Res Grp, Adv Inst Mat Sci, Ho Chi Minh City 756636, Vietnam;
Vietnam Acad Sci & Technol, Ho Chi Minh City Inst Phys, Mac Dinh Chi 1, Ho Chi Minh City 710116, Vietnam;
机译:介电体-半导体界面限制了高迁移率有机半导体中温度升高和载流子密度较大时的电荷载流子运动
机译:非手性碳纳米管的状态密度,有效质量和载流子密度的解析推导
机译:宽温度和掺杂密度范围内半导体载流子迁移率的通用分析近似
机译:碳纳米管静电分析模型:状态密度,有效质量,载流子密度和量子电容
机译:费米表面研究和二维ACAR在高临界温度超导钇钡(2)铜(3)氧(7-x)系统中电子-正电子动量密度的温度依赖性。
机译:兼容半导体技术的低温碳纳米管垂直互连件的制造
机译:从第一原理计算中,碲化物中碲化铅的能量带隙和导电有效量的温度效应