机译:TCAD仿真评价单极运算下4H-SiC n型脱落器电子传输堆垛机的影响
Cent Res Inst Elect Power Ind CRIEPI 2-6-1 Nagasaka Yokosuka Kanagawa 2400196 Japan;
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SiC; Stacking faults; TCAD simulation; Quantum well; Electrical characteristics;
机译:紫外光致发光成像光谱技术在厚,轻度n型掺杂,4°-off 4H-SiC外延层上的堆垛层错识别中的应用
机译:通过紫外光致发光成像技术在厚的轻掺杂n型4°-off 4H-SiC外延层上识别堆垛层错
机译:激发功率和温度对4H-SiC外延层中堆叠缺陷的光致发光的影响
机译:N型4H-SiC外延层中的残余应力和堆垛层错
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:从头算分子动力学模拟堆垛层错对3C-SiC辐射响应的影响
机译:紫外光致发光成像光谱技术在厚,轻度n型掺杂,4°-off 4H-SiC外延层上的堆垛层错识别中的应用
机译:计算机模拟研究β-siC堆积断层的衍射效应,2