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机译:基于新型浅流隔离的高压横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子降解的直流电流新技术研究
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, P. R. China;
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, P. R. China;
机译:多区域直流电流-电压谱的高温行为及其与基于浅沟槽隔离的高压侧向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性的关系
机译:最大衬底电流应力条件下高压横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子降解率
机译:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子可靠性和退化指标研究
机译:热载流子应力后p沟道双扩散漏极金属氧化物半导体晶体管异常关断电流的研究
机译:后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。