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机译:基于自由基反应的绝缘子形成技术的界面展平效应和栅极绝缘子击穿特性
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
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Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
机译:在硅衬底上使用HfO_2栅绝缘体对AlGaN / GaN凹陷型金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管进行或不进行栅后退火处理的特性和界面状态的比较研究
机译:锗的自由基氧化在金属-绝缘体-半导体栅堆叠中形成界面栅电介质GeO_2
机译:用于(100)表面定向大直径晶圆的原子平坦硅表面和硅/绝缘体界面形成技术,引入了高性能和低噪声的金属-绝缘体-硅FET
机译:原子平坦的栅极绝缘体/硅(100)接口形成,引入了高迁移率,超低噪声和小特性变化的CMOSFET
机译:电磁绝缘体薄膜和正常金属/电磁绝缘体界面处的感应磁传输效应。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:掺杂的拓扑绝缘体/亚铁磁绝缘体界面处的铁磁耦合的证据掺杂的拓扑绝缘体/亚铁磁绝缘体界面处的铁磁耦合的证据
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成