机译:用铟锌氧化锡/ Ag /铟锌锡氧化多层电极增强薄膜晶体管的电特性
Center for Opto-Electronic Convergence Systems, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea,Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
Center for Opto-Electronic Convergence Systems, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea;
Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
机译:通过在氧化锆栅极绝缘体上进行UV / O-3处理来提高溶液处理的铟锌锡氧化物薄膜晶体管的性能
机译:由原子层沉积生长的季型铟 - 锌 - 氧化锡膜的高性能薄膜晶体管
机译:使用原子层沉积生长的多层沟道增强氧化物薄膜晶体管的电稳定性
机译:钽掺杂对氧化铟 - 氧化锌薄膜晶体管电特性的影响
机译:高k电介质氧化锌薄膜晶体管的电不稳定性和界面电荷的研究。
机译:源/漏电极对氧化硅锡薄膜晶体管电性能的影响
机译:有源层厚度对高迁移率非晶铟 - 镓 - 氧化钛薄膜晶体管的电特性及稳定性的影响
机译:表征金属掺杂酞菁薄膜的灵敏度,选择性和可逆性,与交叉栅极电极场效应晶体管(IGEFET)一起检测有机磷化合物和二氧化氮