...
机译:超薄AlN隔离层对GaN / SiC异质结双极晶体管电子性能的影响
Department of Electronics Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronics Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan,Photonics and Electronics Science and Engineering Center (PESEC), Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronics Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:具有AlN / GaN短周期超晶格发射极的AlGaN / SiC异质结双极晶体管
机译:GaN / SiC异质结双极型晶体管通过分子束外延在不取向的SiC(0001)上直接生长GaN
机译:SiC离轴衬底上制造的GaN / SiC异质结二极管和双极晶体管的生长,电特性和电致发光
机译:受体浓度对GaN / SiC异质结双极晶体管N〜+ -GAN / P〜+ -SIC异质结的影响
机译:用于开发AlN / SiC {lcub} p / pn {rcub}异质结紫外检测器的MOCVD优化和AlN表征。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:在4H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管结构的时间分辨光致发光特性
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。