机译:CMOS Hartley振荡器拓扑中降低相位噪声的分析和技术
Xilinx, Cork, Ireland;
Univ Modena & Reggio Emilia, DISMI, Reggio Emilia, Italy;
Aarhus Univ, Dept Engn, Aarhus, Denmark;
Hartley; inductive degeneration; noise filter; optimum current density; oscillator analysis;
机译:CMOS Colpitts振荡器拓扑中降低相位噪声的分析和技术
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中相位噪声的比较分析:Hartley,Colpitts和共源交叉耦合差分对
机译:28 nm CMOS LC振荡器差分拓扑中的相位噪声分析:Armstrong,Colpitts,Hartley和共源交叉耦合对
机译:毫米波CMOS Hartley振荡器拓扑中的相噪降低技术分析:噪声滤波器和最佳电流密度
机译:压控振荡器相位降噪技术
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:28 nm CMOS LC振荡器差分拓扑中相位噪声分析:Armstrong,Colpitts,Hartley和共源交叉耦合对
机译:雪崩和Gunn振荡器噪声的物理起源及降噪技术研究。