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トランジスタのプロセスばらっきを考慮した低電力SRAM設計の研究

机译:考虑晶体管工艺变化的低功耗SRAM设计研究

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摘要

半導体集積回路の加工技術は年々微細化が進展している.しかしそれに伴rnい,トランジスタが小さくなるため製造時のプロセスばらつきが増加し,トランrnジスタの性能のばらつきが回路動作に与える影響が無視できなくなっている.特rnにLSIの重要な構成要素の1つであるSRAMは,トランジスタばらつきの影響をrn大きく受け,SRAM動作のために必要なマージンが減少し,動作性能が劣化する.
机译:小型化在半导体集成电路的处理技术中逐年发展。但是,与此同时,晶体管的尺寸变小,并且制造时的工艺变化性增加。尤其是,作为LSI重要组成部分之一的SRAM受到晶体管变化的极大影响,从而降低了SRAM操作所需的裕度并降低了操作性能。

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    《情報処理》 |2008年第6期|679-679|共1页
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