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QD lasers go to market

机译:QD激光器进入市场

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摘要

First to offer QD edge-emitting lasers and epiwafers in commercial volumes (at March 2002's Optical Fiber Communications event) was Albuquerque-based Zia Laser, spun off in May 2000 from the University of New Mexico with professor Luke F Lester as chief research officer and Petros Varangis as chief of product development. It received $6m of venture funding in June 2001 and $5.4m in March 2003. Zia's MBE-grown "dots-in-a-well" (DWELL) structures (see Figure 4 [min]) include: 1.1510-1620nm InP-based QD broadband Tunable Gain Chip (TGC, sampled in April 2002), which has 40mW output for S-, C- and L-band tunable external-cavity lasers for long-haul and metro-area DWDM networks; 3. 1265-1340nm GaAs-based uncooled InAs QD DFB lasers (sampled in July 2002), which output 5mW at 10Gbit/s operation, allowing a reach of 80km in metro- and local-area networks.
机译:最早以商业规模提供QD边缘发射激光器和外延片(在2002年3月的光纤通信大会上)的是总部位于阿尔伯克基的Zia Laser,该公司于2000年5月从新墨西哥大学分拆出来,由Luke F Lester教授担任首席研究官, Petros Varangis担任产品开发主管。它在2001年6月获得了600万美元的风险投资,在2003年3月获得了540万美元。Zia的MBE生长的“井中点”(DWELL)结构(见图4 [min])包括:1.1510-1620nm基于InP的QD宽带可调增益芯片(TGC,于2002年4月采样),对于用于长距离和城域DWDM网络的S,C和L波段可调谐外腔激光器具有40mW的输出; 3.基于1265-1340nm GaAs的非冷却InAs QD DFB激光器(于2002年7月采样),以10Gbit / s的速度输出5mW的功率,在城域和局域网中可以达到80公里。

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