机译:Soitech与Sez合作进行Ge去除和Veeco用于MBE和GaN
机译:Veeco的化合物半导体制造设备MBE设备组件处于良好状态旨在开发可批量生产的MBE设备
机译:由于位错和横向不均匀性,MBE生长的GaN和AlGaN / GaN的局限性
机译:氮化温度对激光MBE生长的蓝宝石(0001)上GaN纳米壁网络形成和性能的影响
机译:Cloud-Gan:使用循环一致的生成对抗网络对Sentinel-2影像进行云去除
机译:用于高性能HEMT的GaN异质结构的MBE生长
机译:通过MBE在Si(111)上生长的纳米壁网络纳米柱和致密膜之间的GaN结构变化
机译:Soitech与Sez合作进行Ge去除和Veeco用于MBE和GaN