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机译:在45 nm下对6T,8T和10T SRAM电池的数据保持电压(DRV)的处理角分析
Indian Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Roorkee, Uttar Pradesh, India;
Indian Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Roorkee, Uttar Pradesh, India;
Data retention; DRV; Low power; Process corners; SRAM; Temperature variations;
机译:在45nm处的6T,8T和10T SRAM CEIL的数据保留电压(DRV)的过程角落分析
机译:一个工作频率低至0.57 V的512kb 8T SRAM宏,带有一个交流耦合的灵敏放大器和45 nm SOI CMOS嵌入式数据保持电压传感器
机译:基于真实CNTFET的6T,7T,8T,9T和10T的比较分析
机译:一个512kb 8T SRAM宏,工作电压低至0.57V,带有一个交流耦合的感应放大器和45nm SOI CMOS嵌入式数据保持电压传感器
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:大数据平台上异构数据实时分析的分布式流处理中间件框架:环境监测案例
机译:45nm双端口SRAM中的设计选择-8T,10T单端和10T差分