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4-port Unified Data/instruction Cache Design With Distributed Crossbar And Interleaved Cache-line Words

机译:具有分布式交叉开关和交错式高速缓存行字的4端口统一数据/指令高速缓存设计

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摘要

The presented unified data/instruction cache design uses multiple banks and features 4 ports, distributed crossbar, different word-length for data and instruction ports, interleaved cache-line words and synchronous access with hidden precharge. A 20.5 KByte storage capacity is integrated in 5-metal-layer CMOS logic technology with 200 nm minimum gate length and a 3.4 ns access-cycle time is achieved. The access bandwidth corresponds to 10 ports with standard word-length, while the cost in increased Si-area is only 25% in comparison to a 1-port cache.
机译:提出的统一数据/指令高速缓存设计使用了多个存储体,并具有4个端口,分布式交叉开关,用于数据和指令端口的不同字长,交错的高速缓存行字以及具有隐藏预充电的同步访问。 50.5金属层CMOS逻辑技术集成了20.5 KB的存储容量,最小栅极长度为200 nm,访问周期为3.4 ns。访问带宽对应于具有标准字长的10个端口,而与1端口高速缓存相比,增加的Si区域成本仅为25%。

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