極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス

摘要

For ultra-shallow junction formation process, that is indispensable for scaled Si MOSFET fabrication, pre amorphization ion implantation is often used. The aims of the preamorphization ion implantation are suppression of ion channeling of implanted dopant and suppression of enhanced diffusion induced by point defects by promoting recombination of the points defects by solid-phase epitaxial growth of an amorphized layer. In advance of usefulness evaluation of the preamorphization implantation for Germanium that is one of an alternative materials of Si, amorophization condition of Ge is obtained. Amorohization mechanisms that are specific for Ge are discussed referring critical implantation dose and amorphized thickness for various ion mass.%Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば用いられる。ドーパント注入の際のチャネリングを防ぐことと、イオン注入によって生ずる点欠陥の再結合をアモルファス化層の固相エビにより促進し、点欠陥が関与する増速拡散を抑えることがその目的である。Siの代替材料としてGe及びそのプロセス技術を研究する場合にもブレアモルファス化の有用性評価が必要であると考え、先ずイオン注入によるGeのアモルファス化条件を調べた。アモルファス化臨界ドーズやアモルファス化層の厚さと注入イオンの質量数との関係等から、Geのアモルファス化に特徴的なメカニズムについて議論した。