MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価

摘要

MOSFETのばらつきとランダム・テレグラフ・シグナル（RTS）ノイズを抑制するプロセス開発のためには、多数のMOSFETの電気的特性を測定することと、正確にRTSの現象を測定することが必要である。トラップのエネルギーと、トラップとSi/SiO_2界面からの距離を得るためには、RTSの時定数を統計的に正確に抽出することが必要である。本報告では、大規模評価アレイTEGを用いることにより、非常に多数のI_D-V_(GS)特性を短時間で測定する手法を示した。また、RTSの重要なパラメータである時定数を十分長い時間測定することにより正確に抽出する方法を示した。%For the development of processes suppressing the variability of MOSFETs and Random Telegraph Signal (RTS) noise, it is required that a huge number of MOSFET's characteristics are measured and the exact phenomena of RTS are understood. The statistical extraction of the accurate time constant in RTS is useful to obtain the energy level and/or distance between traps and Si/SiO_2 interface. In this paper, we demonstrated that a huge number of MOSFET's I_d-V_(Gs) characteristics the statistical and accurate measurement method of the time constant of RTS by a sufficient long time measurement in very large-scale array Test Element Group (TEG).