原子オーダ平坦化ウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法

摘要

Atomically flat (100) silicon surface constructed with atomic terraces and steps is realized by argon annealing at 1200℃ on (100) crystal orientation large diameter wafers with precisely controlled tilt angle. An atomic terraces and steps of (100) silicon surface can be measured as an image data by the atomic force microscopy (AFM). In order to discuss the flatness and the uniformity of the atomically flat silicon surface, it is important to evaluate the roughness of each terrace. In this paper, the data analysis technique of the atomic terraces and steps of (100) silicon surface will be proposed.%MOSFETの微細化が進むにつれて、シリコン表面の平坦性AFMにより測定された原子オーダ平坦化（100）シリコン表面のデータから、オフ方向角・オフ角の抽出を抽出し、各テラスの表面状態を評価することが可能である。原子オーダ平坦化ウェハの実現は、MOSトランジスタの移動度及び電流駆動能力の性能向上に結び付くものであり、非常に重要な技術である。その中で、AFMを用いた平坦性の評価技術は確立しなければならない重要なものである。