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電流制御型CDBAによる電流モードバイカッド回路の一構成法

机译:用电流控制型CDBA构造电流模式双二阶电路的方法。

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摘要

本報告は,電統制御型CDBA(CCCDBA)による電流モードバイカッド回路の合成について検討している.提案回路は,損失積分器と無損失積分器による基本ループ構造をプロトタイプとし,2個の屯流制御型CDBA,2個の電流制御型CDA(CCCDA)と2個のキャパシタにより構成されている.本回路は,回路要素のマッチング条件を必要とせず,出力電流の選択により低域通過特性,帯域通過特性,高域通過特性,帯域除去特性,全域通過特性が実現でき,回路パラメータω_0,Qの倍もバイアス電流により直交的に設定することができる.また,回路の構成要素の変動が特性に与える影響について,素子感度より本回路が低素子感度特性を有することを示している.さらに,CCCDBAとCCCDAの不完全生が回路特性に与える影響についても,電流トラッキングエラー,および電圧トラッキングエラーを考慮して検討を行っている.PSPICEシミュレーションによる実現例を示し,本回路が良好に動作することを確認している.%This paper introduces a current-mode universal biquadratic circuit using current controlled current differencing buffered amplifiers (CCCDBAs). The circuit is constructed with two CCCDBAs, two current controlled current differencing amplifiers (CCCDAs) and two capacitors. The circuit can realize low-pass, band-pass, high-pass, band-stop and all-pass transfer functions by choosing appropriate current output terminals without any component matching conditions. Additionally, the circuit parameters ω_0 and Q can be set orthogonally through adjusting the bias currents. The biquadratic circuit enjoys very low sensitivities with respect to the circuit components. The effect of non-idealities on the biqaudratic characteristics is also discussed considering the current- and voltage-tracking errors. Some examples are given together with simulated results by PSPICE. The biquadratic circuit configuration is well suited for implementation in both bipolar and CMOS technology.
机译:该报告研究了数字控制CDBA(CCCDBA)对电流模式双二阶电路的综合。所提出的电路是由损耗积分器和无损积分器组成的基本环路结构的原型,由两个音调电流控制型CDBA,两个电流控制型CDA(CCCDA)和两个电容器组成。该电路不需要电路元件匹配条件,并且可以通过选择输出电流和电路参数ω_0,Q来实现低通特性,带通特性,高通特性,带阻特性和全通特性。可以通过偏置电流正交设置倍数。关于电路构成元件的变动对特性的影响,与元件灵敏度相比,该电路的元件灵敏度特性也低。此外,考虑电流跟踪误差和电压跟踪误差,还考虑了CCCDBA和CCCDA产生不完善对电路特性的影响。给出了一个通过PSPICE仿真实现的示例,以确认该电路工作良好。本文介绍了一种使用电流控制的电流差动缓冲放大器(CCCDBA)的电流模式通用双二次电路,该电路由两个CCCDBA,两个电流控制的电流差动放大器(CCCDA)和两个电容器构成,该电路可以实现低通。通过选择合适的电流输出端子而无需任何元件匹配条件,即可实现``通'',``带通'',``高通'',``带阻''和``全通''传递函数。此外,可以通过调整偏置电流来正交设置电路参数ω_0和Q.电路对电路元件的敏感度很低,还考虑了电流和电压跟踪误差,讨论了非理想性对双二次特性的影响,并给出了一些示例以及PSPICE的仿真结果。非常适合在双极和CMOS技术中实施。

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