CMOS-RF回路における基板結合の評価と解析

摘要

高周波アナログ回路における基板ノイズの影響を，基板へ直接ノイズを注入することによって評価した。90nmプロセス2.45GHz帯のCMOSRFドライバアンプを使用し，ガードバンドのp~＋を通じP基板に直接ノイズを注入，出力に現れるノイズの周波数成分や高調波成分を測定した。シミュレーションにおいて，素子の基板との結合，プローブ，パッド，主要な配線容量，ウェル，シリコン基板をモデル化を行い，出力されるノイズの一次成分を2dB以下の誤差で再現した。%Susceptibility of radio frequency (RF) circuits against environmental noises was evaluated by way of direct power injection. Measurements performed on a 90-nm 2.45 GHz CMOS RF driver amplifier show that the injection of RF power into on-die p~+ guard bands creates tones at the primary and up-converted frequencies. Simulation achieves the error of less than 2dB against the measured susceptibility of -40dB, with the models of passive impedance networks covering probing tips, die pads, metal wirings, as well as a silicon substrate.