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Integrated Broadband 1×8 Optical Phased-Array Switch with Low Polarization Sensitivity and Nanosecond-Scale Reconfiguration Time

机译:低极化灵敏度和纳秒级重新配置时间的集成宽带1×8光相控阵开关

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摘要

We report on the design and fabrication of integrated 1x8 optical phased-array space switches. Utilizing single stage of carrier injection-based phase modulation, operation of a 1×8 InP/InGaAsP phased array switch in the entire C-band (1520-1580 nm) is achieved for both TE and TM polarization states. Polarization dependent loss lower than 2.2 dB, wavelength dependent loss lower than 2.5 dB and average on/off extinction ratio of 17.7 dB are achieved with an average current injection less than 100 mA. Dynamic operation is also achieved with a reconfiguration time of less than 6 ns.%将来の大容量光パケットスイッチングネットワークの実現に向けて,1×8 InP/InGaAsP 集積光フェーズアレイスイッチの設計・作製・評価を行った.電流注入型位相変調アレイを用いることで,C バンド全域(1520-1580m)にわたり,TE/TM 両偏波状態について良好なスイッチング特性を実証した.偏波依存損失は2.2dB以下,波長依存性は2.5dB であり,100mA 以下の注入電流で17.7dB の平均消光比が得られた.動的スイッチング実験から,スイッチング応答時間は6ns 以下であると見積もられた.
机译:我们报告集成的1x8光相控阵空间开关的设计和制造,利用基于载波注入的单级相位调制,在整个C波段(1520-1580年)中运行1×8 InP / InGaAsP相控阵开关对于TE和TM偏振态,均实现了nm),平均注入电流小于100 mA时,实现了与极化有关的损耗低于2.2 dB,与波长有关的损耗低于2.5 dB和平均开/关消光比为17.7 dB。我们设计,制造和评估了一个1×8 InP / InGaAsP集成光相位阵列开关,以用于将来实现大容量光分组交换网络。通过使用电流注入型相位调制阵列,在整个C波段(1520-1580m)上,两种TE / TM偏振态都表现出良好的开关特性。偏振依赖性损耗为2.2dB以下,波长依赖性为2.5dB,在100mA以下的注入电流下,平均消光比为17.7dB。根据动态开关实验,开关响应时间估计为6 ns或更短。

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