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カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器

机译:使用级联环形谐振器的慢光Si调制器

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摘要

For silicon modulators, introducing resonators is effective way to obtain compact size and power-efficient operations because it can enhance the modulation efficiency. We investigated cascaded ring-resonators in all-pass configuration for this purpose. This structure has enhanced phase-modulation for the light propagated due to slow-light effect for a given index change in the waveguide of the rings. In addition, by designing the number of the cascaded ring resonators, as well as the Q-values of them, it can provide a sufficient total modulation depth, without causing the bandwidth of the resonance to be extremely narrow. We fabricated a Mach-Zehnder modulator, which had such cascaded ring resonators on its arms as the phase modulators on SOI substrate. This modulator showed seven-fold enhancement in modulation efficiency for a driving current at the resonant wavelengths, compared with a conventional non-resonant Mach-Zehnder modulator. Clear eye-openings were successfully obtained using pre-emphasis signals with the amplitude of only 1-V peak-to-peak in the wavelength range of 1 nm without dynamic control on the resonant wavelength of the resonators.%シリコン変調器の小型・低消費電力化に対して、光共振器の導入により変調効率を高めることは有効な手段である。我々はこのような共振器として、オールパス型のリング共振器をカスケード接続した構造を検討している。本構造はスローライトの効果により、リング共振器の導波路に誘起された屈折率変化に対して、得られる伝搬光の位相変化が増強される。また、リング共振器のQ値と接続個数の両方を設計パラメータとすることで、変調に必要な総位相変化量を確保しつつ、動作波長範囲を拡大することができるため、従来のリング共振器型変調器と比較すると、より大きな設計の自由度を有している。本構造を有するマッハツェンダ変調器をSOI基板上に作製した結果、共振ピークの波長において、駆動電流に対する変調効率が通常のマッハツェンダ変調掛こ比較して約7倍増大していることを確認した。また、1V_(pp)という小さい電圧振幅のプリ・エンファシス信号により本変調器を10 Gb/s駆動した結果、共振波長の調整なしに波長範囲1nm において良好なアイの開口が得られた。
机译:对于硅调制器,引入谐振器是获得紧凑尺寸和节能操作的有效方法,因为它可以提高调制效率。为此,我们研究了全通配置中的级联环形谐振器。对于环的波导中给定的折射率变化,由于慢速光效应,该结构对于传播的光具有增强的相位调制。另外,通过设计级联环形谐振器的数量以及它们的Q值,可以提供足够的总调制深度,而不会引起谐振的带宽非常窄。我们制造了一个Mach-Zehnder调制器,该调制器的臂上像SOI衬底上的相位调制器一样具有级联的环形谐振器。与常规的非谐振马赫曾德尔调制器相比,该调制器在谐振波长下对驱动电流的调制效率提高了七倍。在没有动态控制谐振器谐振波长的情况下,使用预加重信号在1 nm波长范围内仅具有1-V峰峰值的振幅,即可成功获得清晰的睁眼效果。%シリコン変调器の小型・低消费电力化に対して,光共振器の引入により変调频を高めることは有效な工具である。我々はこのような共振器として,オールパス型のリング共振器本构造はスローライトの效果により,リング共振器の导波路に诱起された屈折率変化に対して,得られる伝搬光の位相変化が増强される。また,リング共振器のQ値と接続一个数の両方を设计パラメータとすることで,変调に必要な総位相変化量を确保しつつ,动作振动范囲を拡大することができるため,従来のリング共振器型変调器と比较すると,より大きな设计本构造を有するマッハツェンツェ调器をSOI基板上に作制した结果,共振ピークの波长において,駆动电流に対する変调效率が通常のマッハツェンダ変调挂こ比较して约7倍増大してまた,1V_(pp)とう小/い电圧振幅のプリ・エンファシス信号により本変调器を10 Gb / s駆动した结果,共振波长の调整なしに波长范囲1nmにおいて良好なアイの开口が得られた。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2010年第352期|p.65-70|共6页
  • 作者单位

    技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)〒305-8569 茨城県つくば市小野川16-1西7SCR棟,フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST),㈱富士通研究所 〒243-0197 神奈川県厚木市森の里若宮10-1;

    ㈱富士通研究所 〒243-0197 神奈川県厚木市森の里若宮10-1;

    技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)〒305-8569 茨城県つくば市小野川16-1西7SCR棟,フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST),㈱富士通研究所 〒243-0197 神奈川県厚木市森の里若宮10-1;

    技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)〒305-8569 茨城県つくば市小野川16-1西7SCR棟,フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST),㈱富士通研究所 〒243-0197 神奈川県厚木市森の里若宮10-1;

    技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)〒305-8569 茨城県つくば市小野川16-1西7SCR棟,フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST),㈱富士通研究所 〒243-0197 神奈川県厚木市森の里若宮10-1;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    シリコンフォトニクス; 変調器; リング共振器; スローライト; 10gb/s;

    机译:硅光子学;调制器;环形谐振器;慢光;10gb / s;

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