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電力を再構成可能なFlex Power FPGAの低消費電力プロセスによる試作と評価

机译:通过低功耗过程对电源可重新配置的Flex Power FPGA进行原型设计和评估

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摘要

Flex Power FPGA that is FPGA with power reconfigurability aims at the reduction of static power. The reduction of off current in which the static power originates in Flex Power FPGA depends on both the variation width of an off current of MOSFET when the body bias voltage is applied and the fraction of MOSFET with low threshold voltage in a circuit. In the recent years, two or more fabrication processes are prepared in a technology node to satisfy the severe demands on the operational specifications such as a faster operating frequency and lower power consumption in the various target applications. In addition, two or more kinds of MOSFET with a different characteristic exist in each process and the integrated circuit can be designed by selectively using these MOSFETs. And, the behavior of the change in an off current when the body bias voltage is applied to these MOSFETs is different respectively. In this paper, Flex Power FPGA is fabricated by the low power 90nm CMOS process where the variation width of an off current by the applying of the body bias voltage is larger and the off current reduction is evaluated.%電力を再構成可能なFPGAであるFlex Power FPGAは,スタティック電力の削減を目的としている.Flex Power FPGAにおいて,スタティック電力の起源であるオフ電流の削減効果は,MOSFETにボディバイアスを印加した際のオフ電流の変化幅と回路内の低しきい値MOSFETの割合の両方に依存する,近年,様々なアプリケーションにおける動作速度の高速化や消費電力の低減といった動作スペックに対する厳しい要求を満足するために,ある一つのテクノロジーノードの中で複数のプロセスが用意されている.更に,それぞれのプロセスにおいて特性の異なる複数の種類のMOSFETがあり,これらを選択的に用いて集積回路の設計が可能である.そして,これらのMOSFETのボディバイアス時のオフ電流の変化の振る舞いはそれぞれで異なる.今回は,オフ電流の変化幅の大きい低電力プロセスのMOSFETを用いてFlex Power FPGAを試作し,オフ電流削減効果を評価した.
机译:具有电源可重新配置功能的FPGA Flex Power FPGA旨在减少静态功耗。 Flex Power FPGA中产生静态功率的截止电流的减少既取决于施加体偏置电压时MOSFET截止电流的变化幅度,又取决于电路中具有低阈值电压的MOSFET的比例。近年来,在技术节点中准备了两个或多个制造过程,以满足对操作规范的严格要求,例如在各种目标应用中更快的操作频率和更低的功耗。另外,在每个工艺中存在两种或更多种具有不同特性的MOSFET,并且可以通过选择性地使用这些MOSFET来设计集成电路。并且,当将体偏置电压施加到这些MOSFET时,截止电流的变化行为分别不同。本文采用低功耗90nm CMOS工艺制造Flex Power FPGA,该工艺通过施加人体偏置电压产生的截止电流变化幅度较大,并评估了截止电流的降低。 PowerFlex Power FPGAは,スタティック电力の削减をスとしている。内の低しきい値MOSFETの割合の両方に依存する,近年,様々なアプリケーションショ动作速度の高速化や消费电力の低减といった动作スペックに対する厳しい要求を満足するために,ある一つのテクノロジーノードードの中に,数のMOSFETの数ロセスが用意されている。更に,それぞれのプロプスにおいて特性の异なる复数の种类のMOSFETがあり,これらを选択的に用いて集积回路の设计が可能である。そして,MOSFETのMOSFETのMOSFET今イアス时のオフ电流の変化の振る舞いはそれぞれで异なる。

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