宇宙・民生のデュアルユースの半導体集積回路の開発と設計生産体制

摘要

宇宙用途と民生用途のデュアルユースの半導体集積回路の技術的開発と設計生産体制が完成したので報告する．0．2μm完全空乏型SOIプロセスをベースに，回路技術により放射線耐性を付加させた．宇宙用途高温耐性や信頼性が必要な建設機器や，自動車などとの共用が考えられる．%We have developed dual - use LSI technologies and manufacturing system both for space and high -temperature / high reliability commercial applications. Radiation - hardening is obtained by means of circuit designs for 0.2 μ m fully - depleted SOI process.