多重台形ナノチャネルAlGaN／GaN HEMTの電流制御性

摘要

We proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC) AlGaN/GaN HEMT. By forming a periodic trench, the MMC HEMT has parallel mesa-shaped channels with two-dimensional electron gas (2DEG) surrounded by the gate electrode. The MMC HEMT exhibited a steeper I_(ds)-V_(ds) curve in linear region and a higher transconductance than the planar HEMT, in spite of the fact that the effective gate width of the MMC device is about half of that for the planar device. The MMC HEMT shows excellent current stability in saturation region. From the result of current collapse measurement, the influence of current collapse was weak for the MMC structure because the MMC structure is rather insensitive to change in the access resistance due to high impedance channel.%ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル（MMC）AlGaN／GaN HEMT を作製し，評価を行った．DC特性の結果から，実効ゲート幅がプレーナ型HEMTの半分程度であるにもかかわらず，線形特性の改善やgm の向上が確認された．また，MMCHEMTにおいて優れた電流安定性が得られた．さらに，電流コラプス評価を行ったところ，MMCHEMTはプレーナ型HEMTに比べて，電流コラプスの影響が小さかった．理由として，高インピーダンスチャネルを有するため相対的にアクセス抵抗が低く，アクセス領域の変化に対して影響が小さいことがあげられる．