GaN 系MIS ダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価

摘要

Al_2O_3 was focused as an insulator in GaN-based MIS structures. We fabricated MIS diodes using MlO_X as the insulator deposited by ALD and evaluated the characteristics. H_2O and O_3 were used as oxygen precursor, and post-deposition annealing was made at 400 ℃, 20 min. As for the composition x and the bandgap E_g XPS analysis revealed that, x=2.0, and E_g was 6.5-6.8 eV in all conditions. Larger suppression of gate leak current and interface state density was obtained by using O_3 instead of H_2O.%MIS 構造に用いる絶縁体としてAl_2O_3に着目し、ALDで成膜したAlO．を絶縁膜としたMISダイオードを作製し、特性評価を行った。酸素プリカーサとして水とオゾンを用い、成膜後400℃，20 min の条件でアニール処理を行った。XPS分析から、すべての条件で組成はx=2．0、バンドギャップは6．5～6．8eVであった。絶縁膜をつけることによりゲートリーク電流は低下した。また、オゾンを用いた場合に水を用いた場合よりも界面準位密度の低下が見られた。