チューナブル・マルチバンド電力増幅器の設計

摘要

本研究は、電力増幅器の動作中心周波数を可変にするチューナブル・マルチバンド電力増幅器についての報告である。入力整合回路に容量可変素子を用いる可変整合回路を使い、チューナプル・マルチバンド電力増幅器を実現した。増幅素子には出力10W 級GaN HEMT を用いた。容量を0.1pF から1.32pFまで変化させることで、1.5GHz-2GHz を対応し、利得22.1dB±0.1dB の平坦な特性を得た。%This paper describes a method of designing a Microwave Tunable Amplifier for Multi-Band. This design method is using a variable capacitance in an input matching circuit. We adopted a 10W GaN HEMT as power amplifier. This amplifier center frequency varies from 1.5GHz to 2GHz with changing capacitance from O.lpF to 1.32pF. The amplifier gain is nearly 22.1dB±0.1dB constantly.