［招待講演］レーザSQUID顕微鏡，レーザテラヘルツ放射顕微鏡，関連シミュレーションの統合的/選択的利用: 電気的非接続でのLSIチップ故障箇所紋り込み手法

摘要

Recently, in the field of fault localization of LSI chips, several non-electrical contact techniques have been proposed. The techniques include the laser SQUID microscope (L-SQ) and the laser terahertz emission microscope (LTEM). Both techniques have the pros and cons. The L-SQ, for examples, can localize open defects in some cases, but it requires closed circuit. The LTEM can localize open defects and short defects, and not requires closed circuit. The LTEM, however, cannot localize open defects in some cases. The fault simulations specially designed for L-SQ or LTEM make it precise or efficient to localize defects. The combinational or selective usage of L-SQ, LTEM and the related simulations makes it possible to localize defects in many cases. In this paper, we would like to review our results.%LSIチップの故障箇所を，外部からの電源印加も電気信号入力も行わずに，非破壊で絞り込む手法として，レーザSQUID顕微鏡（L-SQ）とレーザテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）を提案している．L-SQでは連続発振レーザビーム照射によりLSIチップに励起された光電流が誘起する磁場を検出する．LTEMではフェムト秒レーザビーム照射によりLSIチップ内に励起された光電流が発するテラヘルツ波を検出する．これらと，両手法の機能の一部をシミュレートするソフトウェアを，組合せてあるいは選択的に用いることで，LSI配線系の多くの故障モードの故障原因欠陥を絞り込むことができる．従来我々が発表している成果を整理し，総括して示すことでその全体像を紹介する．