光重合型液晶性高分子膜のゲート絶縁膜への応用とその電気的評価の研究

摘要

Today, an organic thin film transistor (O-TFT) is known to become a key element for realizing high-performance flexible display devices due to its low process temperature, which is essential for using flexible plastic substrates. In this study, we have directed our attention to a gate insulator, which are one of indispensable elements for O-TFTs. Here we choose a UV-curable liquid crystalline polymer as a gate insulating material, and we study its conducting properties with observing deep carrier trap levels (DTL) of the film by the thermal stimulated current (TSC) method.%近年，携帯用表示デバイスの小型化・軽量化に加えて，表示デバイスのフレキシブル化が進められており，有機材料を用いたTFTの必要性が高まってきている。これは，有機TFT作製においては高温プロセスを必要としないため，フレキシブル性を有し、軽量、安価ではあるが、熱に弱いプラスティック基板を用いるフレキシプルデバイスにとっては大きな利点となるためである。本研究は，有機TFTの性能を決める重要な要素である有機ゲート絶縁膜の高性能化を目的としている。そのため，絶縁膜の電気特性に影響を及ぼす深いトラップ準位（DTL）に注目し、この評価法として熱刺激電流法（TSC法）をとりあげ，絶縁膜の評価を行ったので報告する。