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ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製: 大気圧下、低温成長への挑戦

机译:雾沉积法制备氧化镁(MgO)薄膜:对大气压下低温生长的挑战

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摘要

酸化マグネシウム(MgO)薄膜はディスプレイなどの保護膜や反射防止膜として、開発要望が高いが、現在その作製方法の大半は、真空状態で行う装置を用いなければならない手法である。これは、大気圧下で酸化マグネシウム(MgO)薄膜を作製する場合、500℃程度の高温状態が必要であり、ガラス基板へ直接成長が困難であるという理由が大きいからであると考えられる。そこで我々はミストデポジション法を用いてガラス基板上へ酸化マグネシウム(MgO)薄膜の作製を試みた。ミストデポジション法は、大気圧下で金属酸化物薄膜の成長が可能であり、これまでに酸化亜鉛(ZnO)、酸化ガリウム(Ga_2O_3)、酸化錫(SnO)、酸化インジウム(In_2O_3)、酸化鉄(Fe_2O_3)等の作製に成功している。本発表では、酸化マグネシウム(MgO)薄膜の作製方法や結晶性などについて報告する。%Magnesium oxide (MgO) thin film is useful as the protective film for plasma display and the antireflective film. Therefore, the development of method which can prepare the high quality MgO thin film with low utility cost and environment-friendly is very important. Currently, almost all of the fabrication methods of MgO thin film are the techniques operated with vacuum state. The reason is that the direct growth to the glass substrate is very difficult because the high temperature above 500 ℃ which is not suitable for glass substrate due to the near glass transition temperatures is necessary to prepare the MgO thin film under the atmospheric pressure. Then, we tried making MgO thin film on the glass substrate with mist deposition. Material oxide thin films such as zinc oxide, gallium oxide, tin oxide, indium oxide, ferric oxide, and so on, can be prepared at atmospheric pressure with mist deposition. In this conference, we report on the conditions and the preparations of MgO thin films.
机译:强烈要求开发氧化镁(MgO)薄膜作为显示器等的保护膜或防反射膜,但是目前,其大多数制造方法是需要使用真空装置的方法。这可能是因为当在大气压下形成氧化镁(MgO)薄膜时,需要约500℃的高温条件,并且难以在玻璃基板上直接生长。因此,我们尝试使用薄雾沉积法在玻璃基板上制造氧化镁(MgO)薄膜。薄雾沉积法能够在大气压下生长金属氧化物薄膜,并且到目前为止已开发出氧化锌(ZnO),氧化镓(Ga_2O_3),氧化锡(SnO),氧化铟(In_2O_3),氧化铁。 (Fe_2O_3)已成功生产。在本演示中,我们将报告氧化镁(MgO)薄膜的制造方法和结晶度。 %氧化镁(MgO)薄膜可用作等离子显示器的保护膜和抗反射膜。在那里,开发能够以较低的使用成本和环境友好的方式制备高质量MgO薄膜的方法非常重要。几乎所有的MgO薄膜的制造方法都是在真空状态下进行的技术,原因是500℃以上的高温不适合玻璃基板,因此很难直接生长到玻璃基板上。为了在大气压下制备MgO薄膜,必须在接近玻璃化转变温度的条件下,然后尝试通过雾气沉积在玻璃基板上制备MgO薄膜,氧化锌,氧化镓,氧化锡,氧化铟等材料氧化物薄膜可以在大气压下通过雾状沉积制备三氧化二铁等。在这次会议上,我们报告了MgO薄膜的条件和制备方法。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2011年第404期|p.45-48|共4页
  • 作者单位

    高知工科大学 ナノデバイス研究所 〒782-8502高知県香美市土佐山田町宮ノロ185;

    東芝三菱電機産業システム株式会社 〒650-0047神戸市中央区港島南町5-5-2 KIBC 608;

    東芝三菱電機産業システム株式会社 〒650-0047神戸市中央区港島南町5-5-2 KIBC 608;

    京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 〒615-8502京都市西京区京都大学桂2ローム記念館315;

    京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 〒615-8502京都市西京区京都大学桂2ローム記念館315;

    東芝三菱電機産業システム株式会社 〒650-0047神戸市中央区港島南町5-5-2 KIBC 608;

    京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 〒615-8502京都市西京区京都大学桂2ローム記念館315;

    高知工科大学 ナノデバイス研究所 〒782-8502高知県香美市土佐山田町宮ノロ185;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    ミストデポジション; 酸化マグネシウム; 溶液プロセス; 大気圧; 低温成長; 高品質; ガラス上;

    机译:薄雾沉积;氧化镁;固溶工艺;大气压;低温生长;高质量;在玻璃上;

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