Monolithically Integrated 1×100 Photonic Switch Based on Reconfigurable Phased Arrays and SOAs

摘要

1×100高速光スイッチング機能を持つInP光集積回路を作製したので報告する．本素子は，2段フェーズアレイ型光スイッチと半導体増幅器（SOA）アレイを縦続接続した構成を取り，計135個の位相シフタ，100個のSOA，22個のスターカプラ，および，数100本のパッシブ光導波路をオフセット量子井戸手法によりモノリシック集積している．10Gbpsにおいて1dB以下のパワーペナルティ，50dB以上の消光比など，基本特性を実証した．%An InP photonic integrated circuit with 1×100 electro-optical switching functionality is reported. The photonic circuit consists of a two-stage cascade of phased-array switches integrated with an array of semiconductor optical amplifiers (SOAs) at the output. 135 phase shifters, 100 SOAs and 22 star couplers interconnected with hundreds of passive waveguides are monolithically integrated using the offset quantum well technique. The switch demonstrates a power penalty below 1 dB at 10 Gbps and an extinction ratio above 50 dB.